| Ano: | 1993 | ||||||||||||||||||||||
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| Palavra Chave: | Pó de Tântalo | Análise de Traços Metálicos e Intersticiais | Espectrometria de Emissão Atômica –ICP/AES | ||||||||||||||||||||
| Autor: | IZÁRIO FILHO, Hélcio José | ||||||||||||||||||||||
| Orientador: | Maria Lúcia Caetano Pinto da Silva | ||||||||||||||||||||||
| Banca
Examinadora: |
Nivaldo Baccan | Gilberto Luiz Jardim Pinto da Silva | |||||||||||||||||||||
| Resumo: | O
pó de tântalo tem como aplicação principal sua
utilização como matéria-prima para ânodos de
capacitores eletrônicos, onde átomos metálicos e não-metálicos
influenciam diretamente as propriedades elétricas, térmicas
e mecânicas, sendo portanto de extrema importância sua caracterização
analítica.
A determinação das impurezas metálicas Ti, Al, Cu, K, Na, Zr, Mn, V, Mo, Cr, Co, Ba, Fe, Ni, Si e Nb foi realizada usando-se a técnica de Espectrofotometria de Emissão Atômica via Plasma Acoplado Indutivamente (ICP/AES), na presença da matriz. Para a determinação dos intersticiais N, O, C e S usou-se a técnica de extração por fusão com gás de arraste. Para análise das impurezas metálicas a técnica de ICP foi viável, mesmo na presença da matriz, apresentando alta precisão ( < 3% ) e uma exatidão com variação de 0 a 5% de erro relativo para Ti, Cu, K, Na, Mo, Ba e Ni; de 5 a 10% de erro relativo para Al, Zr, Mn, V, Co, Fe, Cr e Nb; e acima de 10% somente para o silício. Na análise das amostras reais, os pós de tântalo produzidos no CEMAR tiveram como concentrações médias das impurezas os seguintes resultados, expressos em ug/g: |
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